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gaufrette de structure ingaas

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gaufrette de structure ingaas

2016-07-21

L'arséniure d'indium et de gallium (ingaas), aussi appelé arséniure de gallium indium, est un nom commun pour une famille de composés chimiques de trois éléments chimiques, l'indium, le gallium et l'arsenic. l'indium et le gallium sont tous deux des éléments du groupe du bore, souvent appelés \"groupe iii\", tandis que l'arsenic est un élément pnictogène ou \"groupe v\". en physique des semi-conducteurs, les composés d'éléments de ces groupes sont souvent appelés composés \"iii-v\". parce qu'ils appartiennent au même groupe, l'indium et le gallium jouent des rôles similaires dans la liaison chimique, et l'ingaas est souvent considéré comme un alliage d'arséniure de gallium et d'arséniure d'indium, ses propriétés étant intermédiaires entre les deux et selon la proportion de gallium à indium . dans des conditions typiques, ingaas est un semi-conducteur, et il est particulièrement important dans la technologie optoélectronique, raison pour laquelle il a été largement étudié.


actuellement nous pouvons offrir la nouvelle gaufrette de structure de 2 \"ingaas comme suit:


structure1:

inp (non dopé) (4 ~ 5 nm)

in0.53ga0.47as (type légèrement p) (20 nm)

inp (non dopé) (30 nm)

in0.52al0.48as (légèrement p type) (100 ~ 200 nm)

2 pouces inp sub. (non dopé ou p type)


structure2:

n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, plus c'est mieux)

inp (non dopé) (~ 3 nm)

in0.53ga0.47as (non dopé) (10 nm)

in0.52al0.48as (non dopé) (100 ~ 200 nm)

2 pouces inp


structure3:

n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, plus c'est mieux)

inp (non dopé) (3 ~ 5 nm)

in0.7ga0.3as (non dopé) (3 nm)

inas (non dopé) (2 nm)

in0.53ga0.47as (non dopé) (5 nm)

in0.52al0.48as (non dopé) (200 nm)

si (taille de la plaquette: plus c'est gros, mieux c'est)


structure4:

inp (non dopé) (4 ~ 5 nm)

in0.53ga0.47as (type légèrement p) (20 nm)

in0.52al0.48as (non dopé) (10 nm)

couche tampon requise

si


structure5:

n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, plus c'est mieux)

inp (non dopé) (~ 3 nm)

in0.53ga0.47as (non dopé) (10 nm)

in0.52al0.48as (non dopé) (10 nm)

Couche tampon

si


source: semiconductorwafers.net


Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.semiconductorwafers.net ,

s fin nous email à angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .


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