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plaquette semi-conductrice d'indium

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plaquette semi-conductrice d'indium

2017-12-21

plaquette semi-conductrice d'indium

substrat de plaquette inas - arséniure d'indium
quantité materi Al ou Je entation. diamètre thicknes s polonais résistivité type dopant Caroline du Nord foule ility epd
pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 inas ( 110 ) 40 500 ssp n /une p (1-9) e17 n / a n / a
1-100 inas ( 100 ) 50,8 450 ssp n / a p 1e17 / cc n / a \u0026 lt; 20000
1-100 inas ( 100 ) 50,8 400 ssp n / a n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6 000 \u0026 lt; 1e4
1-100 inas ( 100 ) 50,8 400 dsp n / a n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6 000 \u0026 lt; 1e4
1-100 inas (111) b 50,8 n / a ssp n / a n / s (1-3) e18 n / a n / a
1-100 inas ( 100 ) 50,8 n / a ssp n / a n / te 1e16 / cc n / a n / a
1-100 inas ( 100 ) 50,8 400 dsp n / a p (1-9) e18 / cc n / a n / a
1-100 inas ( 100 ) 3x3x5 n / a n / a n / a n / a 3e16 / cc n / a n / a
en tant que fournisseur de plaquette d'inas, nous offrons la liste de plaquette d'inas pour votre référence, si vous avez besoin de détail de prix, entrez en contact svp notre équipe de vente


Remarque:

*** en tant que fabricant, nous acceptons également la petite quantité pour le chercheur ou la fonderie.

*** délai de livraison: cela dépend du stock que nous avons, si nous avons des actions, nous pouvons expédier à vous bientôt.

substrat de plaquette inp - phosphure d'indium
quantité materia l orientation. diam eter épaissi esse polonais résistivité type dopant Caroline du Nord mobi lité epd
pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 inp ( 111 ) 25,4 300 n / a n / a n / a \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4
1-100 inp ( 100 ) 50,8 400 ± 10 ssp n / a n / (5-50) e15 n / a \u0026 lt; 20000
1-100 inp ( 111 ) 50,8 400 ± 10 ssp n / a p / zn ~ 1e19 n / a \u0026 lt; 20000
1-100 inp ( 100 ) 50,8 400 ssp n / a n / ~ 5e17 n / a n / a
1-100 inp (111) a 50,8 n / a n / a n / a p / zn ~ 5e18 n / a n / a
1-100 inp (111) ± 0,5 ° 50,8 350 ssp \u0026 gt; 1e7 non dopé (1-10) e7 \u0026 gt; 2000 \u0026 lt; 3e4
1-100 inp (100) / (111) 50,8 350-400 ssp n / a n (1-3) e18 n / a n / a
1-100 inp ( 111 ) 50,8 500 ± 25 ssp n / a non dopé n / a n / a n / a
1-100 inp (111) a 50,8 500 ssp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a n / a n / a
1-100 inp (111) a 50,8 500 ± 25 ssp n / a non dopé n / a n / a n / a
1-100 inp (111) b 50,8 500 ± 25 ssp n / a non dopé n / a n / a n / a
1-100 inp ( 110 ) 50,8 400 ± 25 ssp n / a p / zn n / s n / a n / a n / a
1-100 inp ( 110 ) 50,8 400 ± 25 dsp n / a p / zn n / s n / a n / a n / a
1-100 inp (110) ± 0,5 50,8 400 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp (100) ± 0,5 50,8 350 ± 25 ssp n / a p / zn n / a n / a n / a
1-100 inp n / a 50,8 500 n / a n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp (111) b 50,8 400 ± 25 n / a \u0026 gt; 1e4 n / te n / a n / a n / a
1-100 inp (211) b 50,8 400 ± 25 n / a \u0026 gt; 1e4 n / te n / a n / a n / a
1-100 inp (311) b 50,8 400 ± 25 n / a \u0026 gt; 1e4 n / te n / a n / a n / a
1-100 inp ( 111 ) 50,8 n / a ssp n / a n (1-9) e18 n / a n / a
1-100 inp n / a 50,8 4000 ± 300 n / a n / a n / a non dopé n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 50,8 500 ± 25 ssp n / a n / s (1-9) e18 n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 50,8 500 ± 25 ssp n / a n / s ~ 3e17 n / a n / a
1-100 inp (100) / (111) 76,2 600 ssp n / a n (1-3) e18 n / a n / a
1-100 inp (100) ± 0,5 76,2 600 ± 25 ssp n / a non dopé \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4
1-100 inp ( 100 ) 76,2 400-600 dsp n / a non dopé / fe n / a n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76,2 600 ± 25 ssp n / a n / a n / s n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76,2 600 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76,2 675 ± 25 dsp n / a n / a (3-6) e18 n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76,2 600 ± 25 dsp n / a n / a 2,00e + 18 e n / a
1-100 inp ( 100 ) 76,2 600 ± 25 dsp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp ( 111 ) 10x10 500 ± 25 ssp n / a non dopé n / a n / a n / a
1-100 inp n / a 30-40 n / a n / a n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp (100) 2 ° sur +/- 0,1 degré t.n. (110) 50 ± 0,2 500 ± 20 ssp ≥1e7 si / fe n / a ≥2000 ≤5000
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Remarque:

*** en tant que fabricant, nous acceptons également la petite quantité pour le chercheur ou la fonderie.

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substrat de plaquette insb - antimoniure d'indium
quantité Matériel Orientat ion. diamètre épais ness polonais résistivité dopant de type Caroline du Nord mobilit y epd
pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 insb ( 100 ) 50,8 500 ssp n / a n / non-dopé \u0026 lt; 2e14 n / a n / a
1-100 insb ( 100 ) 50,8 500 n / a n / a n / a n / a n / a n / a
En tant que fournisseur de plaquette insb, nous offrons la liste de plaquettes insb pour votre référence, si vous avez besoin de détails de prix, s'il vous plaît contacter notre équipe de vente


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