nous pouvons offrir 2 \"gainp / inp epi wafer comme suit:

Couche de 2 \"gainp epi: épaisseur: 1um, ga: in = 1: 1, couche épi: 1-3um,

substrat inp: taille 2 \", orientation (100) ou (110), type n ou semi-isolant, épaisseur: 300-500um, poli sur une seule face.

gallium indium phosphide (gainp), est un semi-conducteur composé d'indium, de gallium et de phosphore. il est utilisé dans l'électronique à haute puissance et à haute fréquence en raison de sa vitesse supérieure des électrons par rapport aux semi-conducteurs les plus courants, le silicium et l'arséniure de gallium.

il est utilisé principalement dans la structure hemt, structures hbt ou structure mesfet, un matériau epitaxial gainp haute bande développé sur inp pour augmenter la hauteur de barrière schottky du mesfet inp avec les matériaux de la grille schottky (au et pt2si): le gainp / inp pseudomorphique mesfet avec une porte au a une hauteur de barrière schottky de 0,54 ev, et le courant de fuite inverse du dispositif est de 10 -2 fois inférieur à celui du mesfet inp classique. la transconductance intrinsèque et extrinsèque du mesfet pseudomorphique est respectivement de 66,7 et 104,2 ms / mm pour le mesfet gainp / inp de 5 μm

gainp est également utilisé pour la fabrication de cellules solaires à haut rendement utilisées pour des applications spatiales. Le ga0.5in0.5p est utilisé comme jonction à haute énergie sur les cellules photovoltaïques à double et triple jonction cultivées sur gaas. Ces dernières années ont montré des cellules solaires tandem gainp / gaas avec des rendements amo (incidence de la lumière solaire dans l'espace = 1,35 kw / m2) supérieurs à 25%. un alliage différent de gainp, treillis appariés aux gainas sous-jacents, est utilisé comme la jonction de haute énergie gainp / gainas / ge triple junction cellules photovoltaïques.en combinaison avec de l'aluminium (algainp alliage) pour faire leds haute luminosité avec orange-rouge, orange, jaune et vert.

source: semiconductorwafers.net

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