Nous proposons la croissance de GaN sur silicium sur isolant à motifs (SOI) substrats , c’est-à-dire la technique GaN sur motifs SOI. La croissance sélective est supprimée lors de la croissance de l'épitaxie par jets moléculaires à basse température (MBE), et GaN nanocolumn sont donc cultivées par épitaxie sur un substrat de silicium et un substrat d'oxyde de silicium. le GaN les dalles développées sur le substrat en oxyde de silicium sont totalement suspendues dans l’espace par une association de micro-usinage en silicium massif et de gravure HF tamponnée. Les résultats de la photoluminescence et de la réflexion suggèrent que l’absorption de la lumière émise par le silicium est éliminée pour les systèmes autostables. GaN dalle, et les pertes de réflexion sont réduites au début GaN surface de la nanocolonne. Ce travail offre un moyen prometteur de combiner la technologie SOI avec la croissance de GaN pour produire de nouveaux dispositifs optiques.

source: iopscience

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