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Caractérisation interfaciale et mécanique de la structure GaSb / α (Ga, As) / GaAs amorphe liée pour des applications de GaSb sur isolant

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Caractérisation interfaciale et mécanique de la structure GaSb / α (Ga, As) / GaAs amorphe liée pour des applications de GaSb sur isolant

2018-11-07

Dans cette étude, la possibilité d'utiliser la technologie de collage de plaquettes pour fabriquer un semi-conducteur GaSb sur Substrat GaAs pour potentiellement créer un Structure GaSb sur isolant a été démontré. Une tranche de GaSb a été collée sur deux types de substrats de GaAs:
(1) un substrat GaAs semi-isolant monocristallin régulier
(2) les plaquettes de GaAs avec des α- ( Ga, As ) couches.
Les études de microstructures et d’adhérence d’interface ont été réalisées sur ces semi-conducteurs liés par tranche. Il a été constaté que le GaSb-on-α- ( Ga, As ) les plaquettes ont montré une adhérence améliorée à l’interface et une capacité de collage à basse température.


source: iopscience


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