2020-03-17
2020-03-09
Dans cette étude, la possibilité d'utiliser la technologie de collage de plaquettes pour fabriquer un semi-conducteur GaSb sur Substrat GaAs pour potentiellement créer un Structure GaSb sur isolant a été démontré. Une tranche de GaSb a été collée sur deux types de substrats de GaAs:
(1) un substrat GaAs semi-isolant monocristallin régulier
(2) les plaquettes de GaAs avec des α- ( Ga, As ) couches.
Les études de microstructures et d’adhérence d’interface ont été réalisées sur ces semi-conducteurs liés par tranche. Il a été constaté que le GaSb-on-α- ( Ga, As ) les plaquettes ont montré une adhérence améliorée à l’interface et une capacité de collage à basse température.
source: iopscience
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