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plaquette épitaxiale

2017-05-20

Grâce à la technologie mocvd et mbe, pam-xiamen, un fournisseur de plaquettes épitaxiales, propose des produits de plaquettes épitaxiées, notamment des plaquettes épitaxiales gan, des plaquettes épitaxiales gaas, des plaquettes épitaxiales sic, des plaquettes épitaxiales inp, et voici une brève introduction:




1) gan croissance épitaxiale sur gabarit de saphir;

type de conduction: si dopé (n +)

épaisseur: 4um, 20um, 30um, 50um, 100um

orientation: axe c (0001) ± 1,0 °

résistivité: \u0026 lt; 0,05 ohm.cm

densité de dislocation: \u0026 lt; 1x108cm-2

structure du substrat: gan on saphir (0001)

finition de la surface avant (ga-face): tel que cultivé

finition de surface arrière: ssp ou dsp

surface utilisable: ≥ 90%

tailles disponibles: 2 \"(50,8 mm), 3\" (76,2 mm) et 4 \"(100 mm)

grades disponibles: production, recherche et cavalier


2) croissance épitaxiale aln sur gabarit de saphir;

type de conduction: semi-isolant

épaisseur: 50-1000nm +/- 10%

orientation: axe c (0001) +/- 1o

orientation à plat: un avion

xrd fwhm de (0002): \u0026 lt; 200 arcsec

structure du substrat: aln on saphir

finition de surface arrière: ssp ou dsp, prêt pour l'épi

surface utilisable: ≥ 90%

tailles disponibles: 2 \"(50.8 mm),

grades disponibles: production, recherche et cavalier


3) la croissance épitaxiale d'algan sur le saphir, y compris la structure de l'hémisphère;

type de conduction: semi-isolant

épaisseur: 50-1000nm +/- 10%

orientation: axe c (0001) +/- 1o

orientation à plat: un avion

xrd fwhm de (0002): \u0026 lt; 200 arcsec

structure du substrat: algan sur saphir

finition de surface arrière: ssp ou dsp, prêt pour l'épi

surface utilisable: ≥ 90%

tailles disponibles: 2 \"(50.8 mm),

grades disponibles: production, recherche et cavalier


4) couche d'epi de lt-gaas sur le substrat de gaas

Diamètre (mm): Ф 50.8mm ± 1mm

épaisseur: 1-2um ou 2-3um

densité de défauts marco: ≤ 5 cm-2

résistivité (300 k):\u003e 108 ohms-cm

transporteur: \u003c0.5ps

densité de dislocation: \u0026 lt; 1x106cm-2

surface utilisable: ≥80%

polissage: un seul côté poli

substrat: substrat gaas


5) gaufrettes épitaxiales à diodes gaas schottky

structure épitaxiale

non.

Matériel

composition

cible d'épaisseur (um)

épaisseur tol.

c / c (cm 3 ) cible

c / c tol.

dopant

type carrrier

4

gaas

\u0026 emsp;

1

± 10%

\u003e 5.0e18

n / a

si

n ++

3

gaas

\u0026 emsp;

0,28

± 10%

2.00e + 17

± 10%

si

n

2

Géorgie 1 fois Al X comme

x = 0,50

1

± 10%

-

n / a

-

-

1

gaas

\u0026 emsp;

0,05

± 10%

-

n / a

-

-

substrat: 2 '', 3 '', 4 \"



6) gaas hemt epi wafer

1) gaas de substrat de 4 \"si avec orientation [100],

2) superlattice [tampon] de al (0.3) ga (0.7) as / gaas avec des épaisseurs

10/3 nm, répétez 170 fois,

3) barrière al (0,3) ga (0,7) à 400 nm,

4) puits quantique gaas 20 nm,

5) espacer al (0,3) ga (0,7) sous la forme de 15 nm,

6) dopage delta avec si pour créer une densité électronique 5-6 * 10 ^ 11 cm ^ (- 2),

7) barrière al (0,3) ga (0,7) à 180 nm,

8) couche de recouvrement gaas 15nm.


7) plaquette épitaxiale d'inp:

substrat inp:

p / e 2 \"dia × 350 +/- 25um,

n-type inp: s

(100) +/- 0,5 °,

edp \u0026 lt; 1e4 / cm2.

mat poli à l'envers, mat à l'envers, semi-plats.

couche épi:

épi 1: ingaas: (100)

épaisseur: 100nm,

couche d'arrêt de gravure

epi 2: inp: (100)

épaisseur: 50nm,

couche de liaison


8) wafer mené bleu

p-gan / p-algan / ingan / gan / n-gan / u-gan

p-gan 0.2um

p-algan 0.03um

ingan / gan (zone active) 0.2um

n-gan 2.5um

Etch arrêter 1.0um

ugan (tampon) 3.5um

al2o3 (substrat) 430um


9) gaufrette menée verte

Substrat 1.sapphire: 430um

Couche 2.buffer: 20nm

3.undoped gan: 2.5um

4.si dopé gan 3um

5.quantum puits lumière emtting zone: 200nm

Couche de barrière de 6.electron 20nm

7.mg dopé gan 200nm

Contact 8.surface 10nm


source: pam-xiamen


Produits connexes:

croissance épitaxiale ingan sur le saphir.

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ingaas / inp epi wafer pour épingle

inp / ingaas / inp epi wafer

plaquette épitaxiale sic:





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