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croissance épitaxiale de la densité de dislocation à faible enfilage insb sur gaas en utilisant une dislocation interfaciale périodique inadaptée

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croissance épitaxiale de la densité de dislocation à faible enfilage insb sur gaas en utilisant une dislocation interfaciale périodique inadaptée

2017-12-05

points forts

• des insébs de haute qualité ont été cultivés sur gaas par mbe en utilisant une méthode «sans tampon».

• l'énergie de déformation est soulagée par des dislocations interfaciales d'inadaptation observées par tem.

• le type et la séparation des dislocations sont compatibles avec la prédiction théorique.

• Le film insub est détendu à 98,9% et possède une surface avec une rugosité de 1,1 nm.

• films insb montre 33 840 cm2 / v s température ambiante mobilité électronique


nous rapportons une couche insérée de densité de dislocations à filetage bas, complètement relâchée, développée sur un substrat de gaas en utilisant des dislocations d'adaptation interfaciales périodiques auto-assemblées. la couche insérée a été développée à 310 ° C par épitaxie par jets moléculaires. la mesure afm présente une rugosité quadratique moyenne (r.m.s.) de 1,1 nm. Les résultats du balayage de ω-2θ à partir de la mesure de diffraction des rayons X indiquent que la couche insub est détendue à 98,9%. les images provenant de la mesure au microscope électronique à transmission ont montré une densité de dislocation de filetage de 1,38 x 108 cm-2. la formation d'un réseau de dislocations interfaciales très inadaptées a également été observée et la séparation des dislocations est cohérente avec le calcul théorique. la couche insub présente une mobilité d'électrons à température ambiante de 33 840 cm2 / v.


mots clés

Films minces; croissance épitaxiale; tem; de construction; semi-conducteurs; plaquette de gaas, plaquette insb


source: sciencedirect


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