points forts

• des diodes gasb p-i-n ont été cultivées sur si et gaas en utilisant des réseaux d'inadaptation interfaciale (imf).

• les images de microscopie électronique à transmission ont révélé des réseaux de dislocations à 90 °.

• les densités de dislocation de threads de vue autour de la source mathml ont été trouvées dans chaque cas.

• des courants d'obscurité plus faibles et une efficacité quantique plus élevée ont été trouvés pour la croissance sur les gaas.

abstrait

Les photodiodes gasb p-i-n ont été cultivées sur gaas et si, en utilisant des réseaux d'inadaptation interfaciale, et sur des gazb natifs. pour les échantillons cultivés sur gaas et si, des images de microscopie électronique à transmission à haute résolution ont révélé des périodicités atomiques d'interface en accord avec la modélisation atomistique. Les densités de défauts de surface de ~ voir la source mathml ont été mesurées pour les deux échantillons. les balayages de microscopie à force atomique ont révélé des rugosités de surface d'environ 1,6 nm, comparé à 0,5 nm pour l'échantillon cultivé sur gaz naturel. Des mesures de courant sombre et de réponse spectrale ont été utilisées pour étudier les propriétés électriques et optoélectroniques des trois échantillons.

mots clés

a1 microscopie à force atomique; a1 défauts; a1 diffraction des rayons X à haute résolution; a1 interfaces; a3 épitaxie par faisceau moléculaire; b1 antimonides

source: sciencedirect

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