le développement du marché des semi-conducteurs de puissance SiC et GaN L’état actuel de la technologie et du marché du SiC, et les tendance de développement au cours des prochaines années. Le marché des dispositifs SiC est prometteur. Vente de la barrière de Schottky les diodes ont mûri et les expéditions de MOSFET devraient augmenter considérablement au cours des trois prochaines années. Selon l...
Dans cet article, en utilisant un simulateur de dispositif électro-thermique tridimensionnel entièrement couplé, nous étudions le mécanisme de dégradation de l'efficacité en fonctionnement à courant élevé dans des conditions planes. g une Diodes électroluminescentes à base de N (LED). En particulier, l'amélioration de la dégradation de l'efficacité en utilisant des substrats conducteur...
Pour les matériaux homogènes, la méthode d'immersion par ultrasons, associée à un processus d'optimisation numérique basé principalement sur l'algorithme de Newton, permet la détermination de constantes élastiques pour divers matériaux composites synthétiques et naturels. Néanmoins, la procédure d'optimisation existante présente une limitation principale lorsque le matériau considé...
Les caractéristiques lasers dépendantes de la température de collage de la diode laser (LD) GaInAsP de 1,5 µm développée sur une Substrat InP ou Si substrat ont été obtenus avec succès. Nous avons fabriqué le InP substrat ou substrat de Si utilisant une technique de liaison hydrophile directe sur tranche à des températures de liaison de 350, 400 et 450 ° C, et GaInAsP déposé ou Double couche d'...
Un epi-réacteur à paroi chaude vertical permettant d'atteindre simultanément un taux de croissance élevé et une uniformité de grande surface a été développé. Une vitesse de croissance maximale de 250 µm / h est obtenue avec une morphologie semblable à un miroir à 1650 ° C. Sous une modification Epi-réacteur une épaisseur uniforme de 1,1% et une uniformité de dopage de 6,7% pour une zone de ray...
Nous avons amélioré l'efficacité des antennes photoconductrices (PCA) en utilisant du GaAs développé à basse température (LT-GaAs). Nous avons constaté que les propriétés physiques des couches photoconductrices LT-GaAs affectent grandement les caractéristiques de génération et de détection des ondes térahertz (THz). En génération THz, la forte mobilité des porteurs photoexcités et la présence de q...
Les progrès récents dans la croissance épitaxiale des films de SiC sur Si sont passés en revue. Les méthodes classiques de base actuellement utilisées pour la croissance des films de SiC sont discutées et leurs avantages et inconvénients sont explorés. L'idée de base et le contexte théorique d'une nouvelle méthode de synthèse de films de SiC épitaxiéssur Si sont donnés. Il sera montré que la nouve...
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