le développement du marché des semi-conducteurs de puissance SiC et GaN L’état actuel de la technologie et du marché du SiC, et les tendance de développement au cours des prochaines années. Le marché des dispositifs SiC est prometteur. Vente de la barrière de Schottky les diodes ont mûri et les expéditions de MOSFET devraient augmenter considérablement au cours des trois prochaines années. Selon l...
Dans cet article, en utilisant un simulateur de dispositif électro-thermique tridimensionnel entièrement couplé, nous étudions le mécanisme de dégradation de l'efficacité en fonctionnement à courant élevé dans des conditions planes. g une Diodes électroluminescentes à base de N (LED). En particulier, l'amélioration de la dégradation de l'efficacité en utilisant des substrats conducteur...
Examen par gravure topographique et chimique aux rayons X de Si: monocristaux de Ge contenant 1,2 à 3,0% et 3,0% de Ge, ainsi que des mesures précises des paramètres de réseau, a été réalisée. Des contrastes de diffraction sous forme de «quasi-cercles» concentriques (probablement dus à la distribution non uniforme des atomes de Ge) ont été observés dans les topographes à projection. Les motifs de ...
Nous présentons une méthode sans contact pour la détermination du temps de réponse thermique des capteurs de température intégrés dans des plaquettes. Dans cette méthode, une lampe flash éclaire un point de la plaquette en impulsions périodiques; la tache est du côté opposé au capteur testé. La constante de temps thermique du capteur est alors obtenue à partir de la mesure de sa réponse temporelle...
En utilisant le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) à 13,56 MHz, une couche de germe est fabriquée au stade initial de croissance du microcristallin hydrogéné. silicium germanium (μc-Si1-xGex: H) i-layer. Les effets des processus d'ensemencement sur la croissance de µc-Si1-xGex: couches H et la performance de µc-Si1-xGex: H p-i-n cellules solaires à jonction unique sont é...
Expériences orthogonales de croissance de films GaSb sur Substrat GaAs ont été conçus et réalisés à l’aide d’un système LP-MOCVD (Metal-Chemical Chemical Vapor Deposition). Les cristallinités et les microstructures des films produits ont été comparées pour obtenir les paramètres de croissance optimaux. Il a été démontré que le film mince optimisé de GaSb avait une largeur totale étroite à la moiti...
Pour les matériaux homogènes, la méthode d'immersion par ultrasons, associée à un processus d'optimisation numérique basé principalement sur l'algorithme de Newton, permet la détermination de constantes élastiques pour divers matériaux composites synthétiques et naturels. Néanmoins, la procédure d'optimisation existante présente une limitation principale lorsque le matériau considé...
Les caractéristiques lasers dépendantes de la température de collage de la diode laser (LD) GaInAsP de 1,5 µm développée sur une Substrat InP ou Si substrat ont été obtenus avec succès. Nous avons fabriqué le InP substrat ou substrat de Si utilisant une technique de liaison hydrophile directe sur tranche à des températures de liaison de 350, 400 et 450 ° C, et GaInAsP déposé ou Double couche d'...
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