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Fonctionnement du dispositif à haute température 5-3-1

Technologie 5.silicon de carbure

Fonctionnement du dispositif à haute température 5-3-1

2018-01-08

l'énergie de large bandgap et la faible concentration intrinsèque de sic permettent à sic de maintenir

comportement des semi-conducteurs à des températures beaucoup plus élevées que le silicium, ce qui permet à son tour sic semi-conducteur

fonctionnalité du dispositif à des températures beaucoup plus élevées que le silicium. comme discuté en base

manuels électroniques de physique de dispositif électronique de semi-conducteur, dispositifs électroniques de semi-conducteur fonction

dans la plage de température où les porteurs intrinsèques sont négligeables de sorte que la conductivité est contrôlée par

intentionnellement introduit des impuretés dopantes. en outre, la concentration de porteurs intrinsèque

est un préfacteur fondamental aux équations bien connues gouvernant la fuite non désirée de polarisation inverse de jonction

courants. à mesure que la température augmente, les porteurs intrinsèques augmentent de façon exponentielle de sorte qu'une fuite indésirable

les courants croissent inacceptablement grande, et finalement à des températures encore plus élevées, le semi-conducteur

le fonctionnement du dispositif est surmonté par une conductivité incontrôlée car les porteurs intrinsèques dépassent intentionnellement

dopages de l'appareil. en fonction de la conception spécifique du dispositif, la concentration intrinsèque du silicium

limite généralement le fonctionnement du dispositif de silicium aux températures de jonction \u003c300 ° C. sic est beaucoup plus petit

La concentration intrinsèque de porteurs permet théoriquement le fonctionnement du dispositif à des températures de jonction dépassant

800 ° c. 600 ° C sic fonctionnement du dispositif a été démontré expérimentalement sur une variété de

appareils sic.


la possibilité de placer directement l'électronique de semi-conducteur à haute température non refroidie dans chaud

les environnements permettraient des avantages importants aux secteurs de l'automobile, de l'aérospatiale et du forage en puits profonds

les industries. dans le cas des moteurs automobiles et aéronautiques, amélioration de la télémétrie électronique et

le contrôle des régions du moteur à haute température est nécessaire pour contrôler plus précisément la combustion

processus visant à améliorer l'efficacité énergétique tout en réduisant les émissions polluantes. capacité à haute température

élimine les pénalités de performance, de fiabilité et de poids associées au refroidissement liquide, aux ventilateurs, aux

blindage, et des longueurs de fil plus longues nécessaires pour réaliser une fonctionnalité similaire dans les moteurs en utilisant classique

électronique de semi-conducteur de silicium.

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