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structure pour les photodétecteurs ingaas

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structure pour les photodétecteurs ingaas

2017-09-30

nous offrons la structure de la plaquette ingaas photodétecteurs comme suit:

Matériel

X

épaisseur  (nm)

dopant

se doper  concentration

inp

1000

n (soufre)

3e16

en (x) gaas

0,53

3000

u / d

5e14

inp

500

n (soufre)

3e16

substrat

si (fe)

source: pam-xiamen


Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.powerwaywafer.com ,

envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .

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Si vous souhaitez un devis ou plus d'informations sur nos produits, s'il vous plaît laissez-nous un message, vous répondrons dès que possible.
   
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