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Croissance monocristalline et propriétés thermoélectriques de ge (bi, sb) 4te7

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Croissance monocristalline et propriétés thermoélectriques de ge (bi, sb) 4te7

2018-07-12

les propriétés thermoélectriques entre 10 et 300 k et la croissance de monocristaux de type n et de type p bi4te7, gesb4te7 et ge (bi1-xsbx) 4te7 solution solide sont rapportés. les monocristaux ont été cultivés par la méthode de Bridgman modifiée, et le comportement de type p a été obtenu par la substitution de bi par sb dans gebi4te7.


la thermopower dans la solution solide ge (bi1-xsbx) 4te7 varie de -117 à +160 μv k-1. le passage de type n à type p est continu avec une teneur en sb croissante et est observé à x ≈ 0,15. les rendements thermoélectriques les plus élevés parmi les échantillons testés de type n et de type p sont respectivement znt = 0,11 et zpt = 0,20. pour un couple n-p optimal dans ce système d'alliage, le facteur de mérite composite est znpt = 0,17 à température ambiante.


source: iopscience


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