ce que nous fournissons:

sic wafer

sic cristal sont coupés en tranches, et polissage, la plaquette sic vient. pour spécification et détails, s'il vous plaît visitez: spécification de sic wafer

croissance de cristal sic

La croissance des cristaux en vrac est la technique de fabrication de substrats monocristallins, ce qui constitue la base pour un traitement ultérieur des dispositifs. Pour obtenir une percée dans la technologie sic, nous avons évidemment besoin de la production de substrat sic avec un processus reproductible.6h- et 4h- creusets de graphite à hautes températures jusqu'à 2100-2500 ° c. la température de fonctionnement dans le creuset est fournie par un chauffage inductif (rf) ou résistif. la croissance se produit sur de minces graines sic. la source représente une charge de poudre sic polycristalline. la vapeur de sic dans la chambre de croissance se compose principalement de trois espèces, à savoir si, si2c et sic2, qui sont diluées par du gaz vecteur, par exemple de l'argon. l'évolution de la source sic comprend à la fois la variation temporelle de la porosité et du diamètre des granules et la graphitisation des granules de poudre.

sic épi wafer

structure en cristal sic

Le cristal sic a de nombreuses structures cristallines différentes, appelées polytypes. Les polytypes de sic les plus couramment développés pour l'électronique sont le 3c-sic cubique, le 4h-sic hexagonal et le 6h-sic, et le 15r-sic rhomboédrique. ces polytypes sont caractérisés par la séquence d'empilement des couches de biomes de la structure sic. pour plus de détails, veuillez cliquer structure en cristal sic

Propriétés sic monocristallines

ici, nous comparons la propriété du carbure de silicium, y compris sic hexagonal, sic cubique, sic monocristallin.pour plus de détails, s'il vous plaît cliquez sur: propriétés sic

sic défauts de cristal

la plupart des défauts observés dans sic ont également été observés dans d'autres matériaux cristallins. comme les dislocations, les fautes d'empilement (sfs), les limites d'angle bas (labs) et les jumeaux. d'autres apparaissent dans les matériaux ayant le zing-blend ou la structure wurtzite, comme les idbes. micropipes et inclusions d'autres phases apparaissent principalement dans sic.

application de cristal de sic

de nombreux chercheurs connaissent l'application sic générale: dépôts de nitrure iii-v, dispositifs optoélectroniques, dispositifs haute puissance, dispositifs haute température, dispositifs d'alimentation haute fréquence.quelques personnes connaissent les applications détaillées, nous listons quelques applications détaillées et faisons quelques explications, veuillez cliquer ci-dessous : application détaillée de carbure de silicium