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Caractérisation par spectroscopie infrarouge de couches épitaxiales 3C–SiC sur silicium

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Caractérisation par spectroscopie infrarouge de couches épitaxiales 3C–SiC sur silicium

2019-03-12

Nous avons mesuré les spectres infrarouges à transformée de Fourier en transmission du carbure de silicium cubiqueCouche épitaxiale (polytype 3C–SiC) de 20 µm d'épaisseur sur un substrat de silicium de 200 µm d'épaisseur. Les spectres ont été enregistrés dans la gamme de nombres d'onde 400–4000 cm−1. Une nouvelle approche de calculs de spectres IR basée sur la capacité de récursivité du langage de programmation C est présentée sur la base de la propagation de la lumière polarisée dans des supports en couches à l'aide des équations de Fresnel généralisées. Les indices de réfraction complexes sont les seuls paramètres d'entrée. Un accord remarquable est trouvé entre toutes les caractéristiques spectrales SiC et Si expérimentales et les spectres calculés. Une attribution complète de (i) les deux modes phonons fondamentaux optique transverse (TO) (790 cm−1) et longitudinal optique (LO) (970 cm−1) de 3C–SiC, (ii) avec leurs harmoniques (1522–1627 cm−1) et (iii) les bandes de sommation optique-acoustique à deux phonons (1311–1409 cm−1) sont obtenues sur la base des données disponibles de la littérature. Cette approche permet de trier les contributions respectives du substrat Si etCouche supérieure SiC . De tels calculs peuvent être appliqués à n'importe quel milieu, à condition que les données complexes d'indice de réfraction soient connues.


Source : IOPscience

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