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croissance de films épitaxiaux de gan sur du diamant polycristallin par épitaxie en phase vapeur métal-organique

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croissance de films épitaxiaux de gan sur du diamant polycristallin par épitaxie en phase vapeur métal-organique

2018-08-01

l'extraction de chaleur est souvent essentielle pour assurer des performances efficaces des dispositifs à semi-conducteurs et nécessite de minimiser la résistance thermique entre les couches de semi-conducteurs fonctionnelles et tout dissipateur thermique. cet article rapporte le croissance épitaxiale de n-polaire films de gan sur des substrats en diamant polycristallin de conductivité thermique élevée avec une épitaxie en phase vapeur métal-organique, en utilisant une couche de Si x formée pendant le dépôt de diamant polycristallin sur un substrat de silicium. la couche si x c sert à fournir les informations de classement de structure nécessaires à la formation d'un film monocristallin à l'échelle de la tranche. On montre qu'un processus de croissance en trois dimensions des îles (3d) élimine les défauts hexagonaux induits par la nature non monocristalline de la couche si x c. il est également démontré qu'une croissance 3D intensive et l'introduction d'une courbure convexe du substrat peuvent être déployées pour réduire la contrainte de traction dans l'épitaxie du gan afin de permettre la croissance d'une couche sans fissure jusqu'à une épaisseur de 1,1 µm. la torsion et l'inclinaison peuvent être aussi faibles que 0,65 ° et 0,39 ° respectivement, des valeurs largement comparables à celles du gan cultivé sur des substrats de structure similaire.


source: iopscience


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