Nous étudions les processus de croissance et de relaxation des cristaux de Ge cultivés sélectivement par dépôt chimique en phase vapeur sur des nanopiliers Si(001) de 90 nm de large. L'Epi-Ge d'une épaisseur allant de 4 à 80 nm a été caractérisé par diffraction des rayons X synchrotron et microscopie électronique à transmission. Nous avons constaté que la contrainte dans les nanostructures de Ge est libérée plastiquement par la nucléation de dislocations inadaptées, conduisant à des degrés de relaxation allant de 50 à 100 %. La croissance des nanocristaux de Ge suit le cristal d'équilibreforme terminée par une faible énergie de surface (001) et des facettes {113}. Bien que les volumes des nanocristaux de Ge soient homogènes, leur forme n'est pas uniforme et la qualité cristalline est limitée par des défauts de volume sur les plans {111}. Ce n'est pas le cas pour les nanostructures Ge/Si soumises à un traitement thermique. Ici, une qualité de structure améliorée ainsi que des niveaux élevés d'uniformité de la taille et de la forme sont observés.

Source : IOPscience

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