2020-03-17
2020-03-09
La croissance épitaxiale par faisceau moléculaire de source gazeuse de GaSb est étudiée. Sb(CH 3 ) 3 se décompose efficacement lorsque la température du four de craquage est supérieure à 800°C. Une épi-couche de GaSb de type miroir peut être obtenue en utilisant Sb(CH 3 ) 3 et une source de Ga solide pour la première fois.
Source : IOPscience
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