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décollement chimique et liaison directe des plaquettes des structures gan / ingan p-i-n cultivées sur zno

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décollement chimique et liaison directe des plaquettes des structures gan / ingan p-i-n cultivées sur zno

2018-02-02

points forts

• croissance mocvd d'une cellule solaire p-gan / i-ingan / n-gan (pin) sur des gabarits zno / saphir.

• caractérisations structurales en profondeur ne montrant pas de back-gravure de zno.

• décollement chimique et collage de la structure sur verre flotté.

• caractérisations structurelles de l'appareil sur verre.

abstrait

Des structures p-gan / i-ingan / n-gan (pin) ont été développées par épitaxie sur des substrats de saphir c-tamponnés par une épitaxie en phase vapeur organique métallique en utilisant le précurseur d'ammoniac standard pour l'azote. la microscopie électronique à balayage a révélé des couches continues avec une interface lisse entre gan et zno et aucune évidence de zno back-etching. la spectroscopie à rayons X à dispersion d'énergie a révélé une teneur maximale en indium d'un peu moins de 5 at% dans les couches actives. la structure de broche a été soulevée du saphir par gravure sélective du tampon zno dans un acide, puis collée directement sur un substrat de verre. Des études de diffraction des rayons X à haute résolution détaillées en microscopie électronique à transmission et à incidence rasante ont révélé que la qualité structurelle des structures des broches était préservée pendant le processus de transfert.


mots clés

a1. caractérisation; a3. épitaxie en phase vapeur organométallique; b1. des nitrures; b1. composés de zinc; b3. cellules solaires


source: sciencedirect


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