Les caractéristiques du film SiO2 déposé en phase liquide sur GaAs ont été étudiés. Un mélange de précurseurs aqueux H2SiF6 et H3BO3 a été utilisé comme solution de croissance. SiO2 sur GaAs avec traitement (NH4) 2S présente de bonnes caractéristiques électriques du fait de la réduction des oxydes natifs et de la passivation du soufre. Les caractéristiques électriques sont encore améliorées grâce à une couche de passivation à interface ultra-mince en Si (Si IPL) résultant de la réduction de l'épinglage au niveau de Fermi et de la densité des états d'interface. De plus, pendant le dépôt de SiO2, HF dans la solution de croissance peut simultanément et efficacement éliminer les oxydes natifs sur le Si IPL et fournir une passivation du fluor. Le condensateur MOS GaAs traité par Al / SiO2 / Si IPL / (NH4) 2S présente des propriétés électriques supérieures. Les densités de courant de fuite peuvent atteindre 7,4 × 10−9 et 6,83 × 10−8 A / cm2 à ± 2 V. La densité d'état d'interface peut atteindre 2,11 × 1011 cm − 2 eV − 1 avec une faible dispersion de fréquence de 8%.

Source: IOPscience

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