Nous rapportons la croissance par épitaxie par faisceau chimique assistée au sans-fil de nanofils de zincblende sans défaut. le cultivé insb les segments sont les sections supérieures des hétérostructures inas / insb sur les substrats inas (111) b. nous montrons, à travers l'analyse de hrtem, que zincblende insb peut être cultivé sans défauts cristallins tels que des failles d'empilement ou des plans de jumelage.

l'analyse de la contrainte-carte démontre que le segment insb est presque détendu à quelques nanomètres de l'interface. par des études de post-croissance, nous avons trouvé que la composition de particules de catalyseur est auin2, et elle peut être modifiée en un alliage auin en refroidissant les échantillons sous flux de tdmasb.

source: iopscience

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