Le dopage in situ pendant la croissance épitaxiale de cvd est principalement accompli par l'introduction d'azote (habituellement) pour le type n et l'aluminium (habituellement le triméthyl- ou le triéthylaluminium) pour les épilayers de type p. certains dopants alternatifs tels que le phosphore et le bore ont également été étudiés pour les épilayers de type n et p, respectivement. alors qu'une certaine variation du dopage de couche épaisse peut être effectuée strictement en faisant varier le flux de gaz dopants, la méthodologie de dopage de site-compétition a permis d'accomplir une gamme beaucoup plus large de dopage sic. de plus, la compétition sur site a également rendu les dopages de couche intermédiaire plus fiables et reproductibles. la technique de dopant-control de site-compétition est basée sur le fait que de nombreux dopants de sic s'incorporent préférentiellement dans des sites de treillis ou des sites de réseau. à titre d'exemple, l'azote s'incorpore préférentiellement dans des sites de réseau normalement occupés par des atomes de carbone. par croissance sérique épitaxiale dans des conditions riches en carbone, la plus grande partie de l'azote présent dans le système cvd (qu'il s'agisse d'un contaminant résiduel ou intentionnellement introduit) peut être exclue de l'incorporation dans le cristal sic en croissance. inversement, en croissant dans un environnement déficient en carbone, l'incorporation d'azote peut être améliorée pour former des épilayers très fortement dopés pour des contacts ohmiques. l'aluminium, qui est opposé à l'azote, préfère le site de sic, et d'autres dopants ont également été contrôlés par la concurrence du site en faisant varier correctement le rapport S / C pendant la croissance des cristaux. Dopage épilateur sic allant de 9 × à 1 × sont disponibles dans le commerce, et les chercheurs ont rapporté avoir obtenu des dopages sur un facteur de 10 plus grand et plus petit que cette gamme pour les dopages de type n et p. l'orientation de surface de la plaquette affecte également l'efficacité de l'incorporation de dopage pendant la croissance de la couche épaisse. Au moment d'écrire ces lignes, les épilateurs disponibles pour les consommateurs afin de spécifier et d'acheter pour répondre à leurs propres besoins d'application de l'appareil ont des tolérances d'épaisseur et de dopage de ± 25% et ± 50%, respectivement. cependant, certains épilateurs de sic utilisés pour la production de dispositifs à grand volume sont bien plus optimisés, présentant une variation de plus de 5% du dopage et de l'épaisseur.