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Centre de recombinaison non radiatif induit par irradiation aux protons de 3,0 mev dans la cellule moyenne gaas et la cellule supérieure gainp des cellules solaires à triple jonction

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Centre de recombinaison non radiatif induit par irradiation aux protons de 3,0 mev dans la cellule moyenne gaas et la cellule supérieure gainp des cellules solaires à triple jonction

2018-04-26

3,0 mev d'effets d'irradiation protonique sur le gaas cellule médiane et la cellule supérieure gainp de n + -p gainp / Gaas / ge les cellules solaires à triple jonction (3j) ont été analysées en utilisant la technique de photoluminescence (pl) dépendant de la température. le piège à électrons e5 (ec - 0.96 ev) dans la cellule centrale gaas, le piège à trous h2 (ev + 0.55 ev) dans la cellule supérieure gainp sont identifiés comme les centres de recombinaison non radiatifs induits par irradiation protonique, respectivement, causant la performance dégradation des cellules solaires à triple jonction. la cellule moyenne gaas est moins résistante à l'irradiation protonique que la cellule supérieure gainp.



source: iopscience


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