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Caractérisation photovoltage en surface de structures laser à puits quantiques uniques GaAs / AlGaAs issues de l'épitaxie par jets moléculaires

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Caractérisation photovoltage en surface de structures laser à puits quantiques uniques GaAs / AlGaAs issues de l'épitaxie par jets moléculaires

2018-09-20

Nous présentons des mesures de photo-tension de surface (SPV) sur le faisceau moléculaire épitaxie (MBE) ont développé des structures laser à puits quantique unique (SQW). Chaque couche de l'hétéro-structure a été identifiée par la mesure du signal SPV après un processus de gravure chimique séquentiel contrôlé. Ces résultats ont été corrélés avec des mesures de diffraction des rayons X et de photoluminescence (PL) à haute résolution. L'effet Stark confiné quantique et le criblage de porteurs de champ électrique ont été pris en compte à la fois théoriquement et expérimentalement pour tenir compte des différences observées dans les résultats de SPV et de PL. Il est démontré que le SPV peut être utilisé comme un outil très efficace pour évaluer les hétéro-structures impliquant plusieurs couches.


Source: IOPscience


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