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  • gan on silicon

    substrat de gan autoportant

    pam-xiamen a établi la technologie de fabrication de la plaquette de substrat gan (nitrure de gallium) autoportante, qui est pour uhb-led et ld. développé par la technologie d'épitaxie en phase vapeur (hvpe), notre substrat gan a une faible densité de défauts.

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  • gan expitaxy

    gaufrette épitaxiale menée basée par gan

    La plaquette épitaxiale à base de gan (nitrure de gallium) de pam-xiamen est destinée à l'application de diodes électroluminescentes bleues et vertes à très haute luminosité (led) et de diodes laser (ld).

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  • GaAs crystal

    galettes de gaas (arséniure de gallium)

    pwam développe et fabrique des substrats semi-conducteurs composés de cristaux d'arséniure de gallium et wafer.we a utilisé une technologie avancée de croissance cristalline, congélation verticale gradient (vgf) et gaas gaufrage technologie de traitement, établi une ligne de production de croissance de cristal, de coupe, de broyage à polissage une salle blanche de 100 classes pour le nettoyage et l'emballage des plaquettes. Notre gaufrette Gaa comprend des lingots / plaquettes de 2 à 6 pouces pour les applications LED, LD et microélectroniques. Nous sommes toujours dédiés à l'amélioration de la qualité des substrats actuels et au développement de substrats de grande taille.

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